問(wèn)題:如何判斷飽和?
判斷飽和時(shí)應該求出基級zui大飽和電流IBS,然后再根據實(shí)際的電路求出當前的基級電流,如果當前的基級電流大于基級zui大飽和電流,則可判斷電路此時(shí)處于飽和狀態(tài)。
飽和的條件:
1.集電極和電源之間有電阻存在 且越大就越容易管子飽和;
2.基集電流比較大以使集電極的電阻把集電極的電源拉得很低,從而出現b較c電壓高的情況。
影響飽和的因素:
1.集電極電阻 越大越容易飽和;
2.管子的放大倍數 放大倍數越大越容易飽和;
3.基集電流的大??;
飽和后的現象:
1.基極的電壓大于集電極的電壓;
2.集電極的電壓為0.3左右,基極為0.7左右(假設e極接地)
談?wù)擄柡筒荒懿惶嶝撦d電阻。假定晶體管集-射極電路的負載電阻(包括集電極與射極電路中的總電阻)為R,則集-射極電壓Vce=VCC-Ib*hFE*R,隨著(zhù)Ib的增大,Vce減小,當Vce<0.6V時(shí),B-C結即進(jìn)入正偏,Ice已經(jīng)很難繼續增大,就可以認為已經(jīng)進(jìn)入飽和狀態(tài)了。當然Ib如果繼續增大,會(huì )使Vce再減小一些,例如降至0.3V甚至更低,就是深度飽和了。以上是對NPN型硅管而言。
另外一個(gè)應該注意的問(wèn)題就是:在Ic增大的時(shí)候,hFE會(huì )減小,所以我們應該讓三極管進(jìn)入深度飽和Ib>>Ic(max)/hFE,Ic(max)是指在假定e、c極短路的情況下的Ic極限,當然這是以犧牲關(guān)斷速度為代價(jià)的。
注意:飽和時(shí)Vb>Vc,但Vb>Vc不一定飽和。一般判斷飽和的直接依據還是放大倍數,有的管子Vb>Vc時(shí)還能保持相當高的放大倍數。例如:有的管子將Ic/Ib<10定義為飽和,Ic/Ib<1應該屬于深飽和了。
從晶體管特性曲線(xiàn)看飽和問(wèn)題:我前面說(shuō)過(guò):談?wù)擄柡筒荒懿惶嶝撦d電阻?,F在再作詳細一點(diǎn)的解釋。
以某晶體管的輸出特性曲線(xiàn)為例。由于原來(lái)的Vce僅畫(huà)到2.0V為止,為了說(shuō)明方便,我向右延伸到了4.0V。
如果電源電壓為V,負載電阻為R,那么Vce與Ic受以下關(guān)系式的約束:Ic = (V-Vce)/R
在晶體管的輸出特性曲線(xiàn)圖上,上述關(guān)系式是一條斜線(xiàn),斜率是 -1/R,X軸上的截距是電源電壓V,Y軸上的截距是V/R(也就是前面NE5532第2帖說(shuō)的“Ic(max)是指在假定e、c極短路的情況下的Ic極限”)。這條斜線(xiàn)稱(chēng)為“靜態(tài)負載線(xiàn)”(以下簡(jiǎn)稱(chēng)負載線(xiàn))。各個(gè)基極電流Ib值的曲線(xiàn)與負載線(xiàn)的交點(diǎn)就是該晶體管在不同基極電流下的工作點(diǎn)。見(jiàn)下圖:
