40個(gè)實(shí)用模擬電路小常識
對于學(xué)生來(lái)說(shuō),獲得電子線(xiàn)路基本知識、基本理論和基本技能,能為深入學(xué)習電子技術(shù)打下基礎,為此,小編整理了40個(gè)模擬電路基礎小常識,看看你掌握了多少,文末還有模擬電路干貨福利哦。
1 電接口設計中,反射衰減通常在高頻情況下變差,這是因為帶損耗的傳輸線(xiàn)反射同頻率相關(guān),這種情況下,盡量縮短PCB走線(xiàn)就顯得異常重要。
5 在高密度的場(chǎng)合下,由于收發(fā)信號挨在一起,很容易發(fā)生串擾,這在布線(xiàn)時(shí)要遵守3W原則。
即相鄰PCB走線(xiàn)的中心線(xiàn)間距要大于PCB線(xiàn)寬的3倍,在插卡設備,接插件連接的位置,要有許多接地針,提供良好的射頻回路。
信號線(xiàn)的匹配對抖動(dòng)產(chǎn)生直接的影響,特別是芯片中含有倍頻功能,本身相位噪聲較大。
另外就是在設計電路時(shí)應仔細考慮各極限參數,不能超出范圍。
將J-FET當做可變電阻使用時(shí)應保證器件有正確的偏置,不能使之進(jìn)入恒流區。
共集電極放大電路: 只放大電流,跟隨電壓,輸入R大,輸出R小,用作輸入級,輸出級。
共基極放大電路: 只放大電壓,跟隨電流,高頻特性好。
旁路電容: 輸入信號電容接地,濾掉信號的高頻雜波。 交流信號針對這兩種電容處理為短路。
源極需要發(fā)射東西嘛,所以對應發(fā)射極e,柵極的英文名稱(chēng)是gate,門(mén)一樣的存在,和基極的作用差不多,其中P型襯底一般與柵極g相連。
23 VMOSFET有高輸入阻抗、低驅動(dòng)電流; 開(kāi)關(guān)速度快、高頻特性好; 負電流溫度系數、無(wú)熱惡性循環(huán),熱穩定性?xún)?yōu)良的優(yōu)點(diǎn)。
24 運算放大器應用時(shí),一般應用負反饋電流。
由此: 用差模與共模的定義表示兩輸入信號可得到一個(gè)重要的數學(xué)模型: 任意一個(gè)輸入信號=共模信號±差模信號/2。
26 差分式放大電路只放大差模信號,抑制共模信號。
利用這個(gè)特性,可以很好的抑制溫度等外界因素的變化對電路性能的影響。 具體的性能指標: 共模抑制比Kcmr。
實(shí)際上由于兩管特性總有差異,電路也不可能完全對稱(chēng),因此輸出電流還會(huì )有偶次諧波成分,為了減少非線(xiàn)性失真,因盡量精選配對管子。
29 為了獲得大的輸出功率,加在功率晶體管上的電壓、電流就很大,晶體管工作在大信號狀態(tài)下。
這樣晶體管的**工作就成為功率放大器的一個(gè)重要問(wèn)題,一般不以超過(guò)管子的極限參數(Icm、BVceo、Pcm)為限度。
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將電源遠離放大電路
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輸入級屏蔽
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直流電源電壓波動(dòng)(采用穩壓電源,輸入和輸出加上濾波電容)
在場(chǎng)效應管(或COMS器件)中,VDD為漏極,VSS為源極,VDD和VSS指的是元件引腳,而不表示供電電壓。
二是器件輸入電阻夠大,但是達不到器件的功率,如小功率的功放,驅動(dòng)大功率的喇叭,喇叭能響,但音量很小,其實(shí)是輸出的電壓不夠大。
40 由電子電路內因引發(fā)的故障類(lèi)型有: 晶體管、電容、電阻等電子元件性能發(fā)生改變引發(fā)的故障; 電子電路中有關(guān)線(xiàn)路接觸不佳引發(fā)的故障等。
由外因引起的電子電路故障類(lèi)型有: 技術(shù)人員使用電子電路時(shí)未按照說(shuō)明要求進(jìn)行操作; 維修技術(shù)人員維修程序不規范不科學(xué)等。